2013年4月11日-12日，2013中国led产业健康发展高峰论坛将在深圳会展中心隆重举办。中国led产业健康发展高峰论坛是由中国半导体照明/LED产业与应用联盟主办，是继2012年两次半导体照明/LED标准宣贯会的高规格与高水准活动之后，又一次LED产业范围内的行业盛会。
此次论坛，许多资深的led行业专家将做出精彩纷呈的专家报告。2013年4月11日上午，中镓半导体科技有限公司总经理张国义先生，将在论坛上作《氮化物半导体衬底材料的发展趋势》的报告。
张国义，理学博士，现任北京大学物理学院教授，半导体光电子学专业博士生导师，北京大学宽禁带半导体联合研究中心主任，北京大学东莞光电研究院常务副院长。兼任中国物理学会发光分科学会理事；中国电子学会信息光电子分会理事，中国物理学会半导体专业委员会委员，中国光学协会led行业协会咨询委员会委员；是国家半导体照明研发与产业联盟的专家组成员；是《半导体学报》，《发光学报》，《液晶和显示》的编委。
衬底材料决定着外延、芯片、封装应用的技术发展方向，不同的衬底要求不同的工艺，并得到不同的结果，因此，衬底技术的发展不仅影响着整个行业技术的发展，还是第三代半导体的核心技术，更是国际竞争的焦点。此次报告主要介绍了氮化物半导体衬底技术的发展趋势，其中重点的介绍了GaN单晶衬底，图形衬底和Si衬底的发展趋势。
GaN是直接带隙的材料，其光跃迁几率比间接带隙的高一个数量级。因此，宽带隙的GaN在半导体在短波长发光二极管、激光器和紫外探测器，以及高温微电子器件方面显示出广阔的应用前景，是很适合于环保的材料体系。
图形化衬底技术（PattemedSapphireSubstrate),简称“PSS”。通过在蓝宝石LED衬底表面制作具有细微结构的图形，然后再在图形化衬底表面进行LED材料外延。蓝宝石LED衬底经过PPS加工后，会改善蓝宝石LED衬底的缺陷，由外延芯片封装出来的LED最终能有效提高光提取效率。
硅具有Fd3m空间群的金刚石结构，属立方体系。由沿体对角线方向位移1/4体对角线距离的两套面心立方子晶格嵌套而成。硅衬底是目前市场价格最便宜，可获得尺寸最大，器件工艺较成熟的半导体材料。
究竟氮化物半导体衬底技术的发展趋势如何，市场对于衬底技术又有着怎样的时代要求，在此次的报告中，都将有着更为详细的阐述。此次论坛涵盖了LED全产业链的技术热点、创新应用、相关标准与政策，包括：封装、材料、OLED发展、led照明、大型国产设备、半导体照明标准培训、节能惠民工程招标介绍等。同时还增添了新品发布环节，在头脑风暴的同时能够及时了解行业动态。同期举办的中国LED展，是中国电子信息博览会旗下的专业展览，由中国半导体照明/LED产业与应用联盟、中国电子器材总公司联合主办。以健康发展，协同共赢为主题，10万平方米超大平台，预计2000家参展企业、90000成熟业内买家！该展会将集中展示全国LED产业优秀企业的阵容、实力和水平，充分利用国（境）内外多种资源，努力打造LED和半导体照明产业的领航展会。
